C. Le Royer: шукати на сайті Z-Library

Найбільша колекція наукових статей у сіті. 70,000,000+ безкоштовних статей.

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024

Z-Library - одна з найбільших онлайн-бібліотек у світі, в якій зберігається більше 17,000,000 книг та 84,837,000 статей. Ми намагаємось зробити літературу доступною кожному. Сьогодні (15 вересня 2024) ми відкриваємо додатковий збір пожертвувань на підтримку та розвиток проекту.

Також БЕЗЛІМТНІ завантаження (протягом 31 дня після завершення пожертвування) доступні для ВСІХ користувачів, які підтримають проект в період збору коштів до 1 жовтня 2024.

Про збір коштів Детальніше

Підтримати

Книги
Статті (291)
Найпопулярніші
Перелік
- Перелік
- Таблиця

Wavelength-scale stationary-wave integrated Fourier-transform spectrometry

le Coarer, Etienne, Blaize, Sylvain, Benech, Pierre, Stefanon, Ilan, Morand, Alain, Lérondel, Gilles, Leblond, Grégory, Kern, Pierre, Fedeli, Jean Marc, Royer, Pascal

Журнал:

Nature Photonics

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 451 KB

english, 2007

Modeling of low frequency noise in FD SOI MOSFETs

El Husseini, J., Martinez, F., Valenza, M., Ritzenthaler, R., Lime, F., Iñiguez, B., Faynot, O., Le Royer, C., Andrieu, F.

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 701 KB

english, 2013

[IEEE 2014 14th International Workshop on Junction Technology (IWJT) - Shanghai, China (2014.5.18-2014.5.20)] 2014 International Workshop on Junction Technology (IWJT) - Junction technology outlook for sub-28nm FDSOI CMOS

Hutin, Louis, Rozeau, Olivier, Carron, Veronique, Hartmann, Jean-Michel, Grenouillet, Laurent, Borrel, Julien, Nemouchi, Fabrice, Barraud, Sylvain, Royer, Cyrille Le, Morand, Yves, Plantier, Christoph

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.08 MB

english, 2014

[IEEE Proceedings of 35th European Solid-State Device Research Conference, 2005. ESSDERC 2005. - Grenoble, France (12-16 Sept. 2005)] Proceedings of 35th European Solid-State Device Research Conference, 2005. ESSDERC 2005. - Germanium/HfO/sub 2//TiN gate stacks for advanced nodes: influence of surface preparation on MOS capacitor characteristics

Le Royer, C., Garros, X., Tabone, C., Clavelier, L., Morand, Y., Hartmann, J.-M., Campidelli, Y., Kermarrec, O., Loup, V., Martinez, E., Renault, O., Guigues, B., Cosnier, V., Deleonibus, S.

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 633 KB

english, 2005

Manganese and iron oxide use at Combe-Grenal (Dordogne, France): A proxy for cultural change in Neanderthal communities

Dayet, Laure, Faivre, Jean-Philippe, Le Bourdonnec, François-Xavier, Discamps, Emmanuel, Royer, Aurélien, Claud, Emilie, Lahaye, Christelle, Cantin, Nadia, Tartar, Elise, Queffelec, Alain, Gravina, Br

Журнал:

Journal of Archaeological Science: Reports

Рік:

2019

Мова:

english

Файл:

PDF, 5.01 MB

english, 2019

Empirical Study of Car Crash Simulation Analysis within the Development Phase

Fatfouta, Naouress, Stal-Le Cardinal, Julie, Royer, Christine

Журнал:

Proceedings of the Design Society: International Conference on Engineering Design

Рік:

2019

Мова:

english

Файл:

PDF, 740 KB

english, 2019

New numerical low frequency noise model for front and buried oxide trap density characterization in FDSOI MOSFETs

J. El Husseini, F. Martinez, J. Armand, M. Bawedin, M. Valenza, R. Ritzenthaler, F. Lime, B. Iñiguez, O. Faynot, C. Le Royer

Журнал:

Microelectronic Engineering

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 493 KB

english, 2011

105 nm Gate length pMOSFETs with high-K and metal gate fabricated in a Si process line on 200 mm GeOI wafers

C. Le Royer, L. Clavelier, C. Tabone, K. Romanjek, C. Deguet, L. Sanchez, J.-M. Hartmann, M.-C. Roure, H. Grampeix, S. Soliveres, G. Le Carval, R. Truche, A. Pouydebasque, M. Vinet, S. Deleonibus

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 522 KB

english, 2008

High performance 70 nm gate length germanium-on-insulator pMOSFET with high-k/metal gate

K. Romanjek, L. Hutin, C. Le Royer, A. Pouydebasque, M.-A. Jaud, C. Tabone, E. Augendre, L. Sanchez, J.-M. Hartmann, H. Grampeix, V. Mazzocchi, S. Soliveres, R. Truche, L. Clavelier, P. Scheiblin, X.

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.51 MB

english, 2009

Investigation of 1/f noise in germanium-on-insulator 0.12 μm PMOS transistors from weak to strong inversion

J. Gyani, M. Valenza, S. Soliveres, F. Martinez, C. Le Royer, E. Augendre, K. Romanjek, C. Drazek

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 670 KB

english, 2009

Characterization of impact of process options in Germanium-On-Insulator (GeOI) high-k & metal gate pMOSFETs by low-frequency noise

M. Valenza, J. Gyani, F. Martinez, S. Soliveres, C. Le Royer, E. Augendre, L. Clavelier

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 531 KB

english, 2011

Detailed investigation of effective field, hole mobility and scattering mechanisms in GeOI and Ge pMOSFETs

W. Van Den Daele, C. Le Royer, E. Augendre, J. Mitard, G. Ghibaudo, S. Cristoloveanu

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.84 MB

english, 2011

A numerical procedure for regularized integral equations for elastostatic problems of flat cracks in opening mode

A.Le Van, J. Royer

Журнал:

Engineering Fracture Mechanics

Рік:

1991

Мова:

english

Файл:

PDF, 936 KB

english, 1991

Comparative study of the fabricated and simulated Impact Ionization MOS (IMOS)

F. Mayer, C. Le Royer, G. Le Carval, C. Tabone, L. Clavelier, S. Deleonibus

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 392 KB

english, 2007

Low-temperature characterization and modeling of advanced GeOI pMOSFETs: Mobility mechanisms and origin of the parasitic conduction

W. Van Den Daele, E. Augendre, C. Le Royer, J.-F. Damlencourt, B. Grandchamp, S. Cristoloveanu

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.83 MB

english, 2010

High mobility CMOS: First demonstration of planar GeOI p-FETs with SOI n-FETs

C. Le Royer, J.-F. Damlencourt, B. Vincent, K. Romanjek, Y. Le Cunff, H. Grampeix, V. Mazzocchi, V. Carron, F. Némouchi, J.-M. Hartmann, C. Arvet, C. Vizioz, C. Tabone, L. Hutin, P. Batude, M. Vinet

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.05 MB

english, 2011

3D modeling of uranium-bearing solution-collapse breccias in Proterozoic sandstones (Athabasca Basin, Canada)—Metallogenic interpretations

Christian Le Carlier de Veslud, Michel Cuney, Guillaume Lorilleux, Jean-Jacques Royer, Michel Jébrak

Журнал:

Computers & Geosciences

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.46 MB

english, 2009

Tunneling FETs on SOI: Suppression of ambipolar leakage, low-frequency noise behavior, and modeling

J. Wan, C. Le Royer, A. Zaslavsky, S. Cristoloveanu

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.66 MB

english, 2011

Dual strained channel CMOS in FDSOI architecture: New insights on the device performance

C. Le Royer, M. Cassé, D. Cooper, F. Andrieu, O. Weber, L. Brevard, P. Perreau, J.-F. Damlencourt, S. Baudot, B. Prévitali, C. Tabone, F. Allain, P. Scheiblin, C. Rauer, C. Figuet, C. Aulnette, N. Dav

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.41 MB

english, 2011

Improved 1/f noise characterization of strained SiGe on insulator MOSFETs fabricated on wafers obtained by the Ge enrichment technique

M. Valenza, J. El Husseini, F. Martinez, M. Bawedin, C. Le Royer, J.F. Damlencourt

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 786 KB

english, 2012

A feedback silicon-on-insulator steep switching device with gate-controlled carrier injection

Wan, J., Cristoloveanu, S., Le Royer, C., Zaslavsky, A.

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 519 KB

english, 2012

Strain mapping with nm-scale resolution for the silicon-on-insulator generation of semiconductor devices by advanced electron microscopy

Cooper, David, Denneulin, Thibaud, Barnes, Jean-Paul, Hartmann, Jean-Michel, Hutin, Louis, Le Royer, Cyrille, Béché, Armand, Rouvière, Jean-Luc

Журнал:

Journal of Applied Physics

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 4.47 MB

english, 2012

Ultrathin (5nm) SiGe-On-Insulator with high compressive strain (−2GPa): From fabrication (Ge enrichment process) to in-depth characterizations

Glowacki, F., Le Royer, C., Morand, Y., Pédini, J.-M., Denneulin, T., Cooper, D., Barnes, J.-P., Nguyen, P., Rouchon, D., Hartmann, J.-M., Gourhant, O., Baylac, E., Campidelli, Y., Barge, D., Bonnin,

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.91 MB

english, 2014

[IEEE 2014 IEEE International Conference on IC Design & Technology (ICICDT) - Austin, TX, USA (2014.5.28-2014.5.30)] 2014 IEEE International Conference on IC Design & Technology - Variability of planar Ultra-Thin Body and Buried oxide (UTBB) FDSOI MOSFETs

Mazurier, J., Weber, O., Andrieu, F., Royer, C. Le, Faynot, O., Vinet, M.

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.26 MB

english, 2014

[IEEE 2009 17th International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors (RTP) - Albany, NY, USA (2009.09.29-2009.10.2)] 2009 17th International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors - Diffusion and activation of Boron and Phosphorus in preamorphized and crystalline Germanium using ultra fast spike anneal

Mazzocchi, V., Pages, X., Py, M., Barnes, J P, Vanormelingen, K., Hutin, L., Truche, R., Vermont, P., Vinet, M., Le Royer, C., Yckache, K.

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 455 KB

english, 2009

[IEEE 2009 17th International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors (RTP) - Albany, NY, USA (2009.09.29-2009.10.2)] 2009 17th International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors - Boron and Phosphorus dopant activation in Germanium using laser annealing with and without preamorphization implant

Mazzocchi, V., Sabatier, C., Py, M., Huet, K., Boniface, C., Barnes, J-P., Hutin, L., Delayer, V., Morel, D., Vinet, M., Le Royer, C., Venturini, J., Yckache, K.

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 439 KB

english, 2009

[IEEE 2011 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS) - Rio de Janeiro, Brazil (2011.05.15-2011.05.18)] 2011 IEEE International Symposium of Circuits and Systems (ISCAS) - 3D monolithic integration

Batude, P., Vinet, M., Pouydebasque, A., Le Royer, C., Previtali, B., Tabone, C., Hartmann, J.-M., Sanchez, L., Baud, L., Carron, V., Toffoli, A., Allain, F., Mazzocchi, V., Lafond, D., Deleonibus, S.

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 827 KB

english, 2011

Relationships between granitoids and mineral deposits: three-dimensional modelling of the Variscan Limousin Province (NW French Massif Central)

de Veslud, C. Le Carlier, Cuney, M., Royer, J. J., Floc'h, J. P., Améglio, L., Alexandrov, P., Vigneresse, J. L., Chèvremont, P., Itard, Y.

Журнал:

Transactions of the Royal Society of Edinburgh Earth Sciences

Рік:

2000

Мова:

english

Файл:

PDF, 7.75 MB

english, 2000

The enigmatic nature of the circumstellar envelope and bow shock surrounding Betelgeuse as revealed by Herschel

Decin, L., Cox, N. L.J., Royer, P., van Marle, A.J., Vandenbussche, B., Kervella, P., Le Bertre, T., Perrin, G.

Журнал:

EAS Publications Series

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 4.70 MB

english, 2013

Investigation of Hot Carrier Stress and Constant Voltage Stress in High- $\kappa$ Si-Based TFETs

Ding, Lili, Gnani, Elena, Gerardin, Simone, Bagatin, Marta, Driussi, Francesco, Palestri, Pierpaolo, Selmi, Luca, Le Royer, Cyrille, Paccagnella, Alessandro

Журнал:

IEEE Transactions on Device and Materials Reliability

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.47 MB

english, 2015

[IEEE 2015 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) - Washington DC, USA (2015.9.9-2015.9.11)] 2015 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) - Mechanical simulation of stress engineering solutions in highly strained p-type FDSOI MOSFETs for 14-nm node and beyond

Oudrhiri, A. Idrissi-El, Martinie, S., Barbe, J-C., Rozeau, O., Le Royer, C., Jaud, M-A., Lacord, J., Bernier, N., Grenouillet, L., Rivallin, P., Pelloux-Prayer, J., Casse, M., Mouis, M.

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 625 KB

english, 2015

Le pseudoxanthome élastique est associé à une tendinopathie calcifiante de la coiffe des rotateurs de l’épaule

Etienne, M., Hoppe, E., Royer, M., Le Corre, Y., Rutsch, F., Legrand, E., Martin, L.

Журнал:

Annales de Dermatologie et de Vénéréologie

Рік:

2015

Мова:

french

Файл:

PDF, 69 KB

french, 2015

Limited value of morphological assessment at days 1 and 2 to predict blastocyst development potential: A prospective study based on 4042 embryos

Guerif, F., Le Gouge, A., Giraudeau, B., Poindron, J., Bidault, R., Gasnier, O., Royere, D.

Журнал:

Human Reproduction

Рік:

2007

Файл:

PDF, 189 KB

2007

Application d’une analyse de risques a l’étude des non-conformités en stérilisation en cas de sous-traitance

Le Guyader, Guillaume, Royer, Nolwenn, Advenier-Iakovlev, Emmanuelle

Журнал:

Le Pharmacien Hospitalier et Clinicien

Рік:

2017

Мова:

french

Файл:

PDF, 253 KB

french, 2017

When LC-HRMS metabolomics gets ISO17025 accredited and ready for official controls – Application to the screening of forbidden compounds in livestock

DERVILLY-PINEL, Gaud, ROYER, Anne-Lise, BOZETTA, Elena, PEZZOLATO, Marzia, HERPIN, Loïc, PREVOST, Stéphanie, Bruno, LE BIZEC

Журнал:

Food Additives & Contaminants Part A

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.83 MB

english, 2018

Toward the characterisation of non-intentionally added substances migrating from polyester-polyurethane lacquers by comprehensive gas chromatography-mass spectrometry technologies

Elsa, Omer, Emmanuelle, Bichon, Sébastie, Hutinet, Anne-Lise, Royer, Fabrice, Monteau, Hélène, Germon, Paul, Hill, Gérald, Remaud, Gaud, Dervilly-Pinel, Ronan, Cariou, Bruno, Le Bizec

Журнал:

Journal of Chromatography A

Рік:

2019

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.37 MB

english, 2019

Pharmaceutische Erfahrungen über das neue Mittel gegen den Kropf

Aug. Le Royer, J. A. Dumas

Журнал:

Annalen der Physik

Рік:

1821

Файл:

PDF, 343 KB

1821

ChemInform Abstract: Flow Thermolysis Rearrangements in the Indole Alkaloid Series: Strictamine and Akuammicine Derivatives. The Absolute Configurations of Ngouniensine (Va) and epi-Ngouniensine (Vb).

G. HUGEL, D. ROYER, L. LE MEN-OLIVIER, B. RICHARD, M.-J. JACQUIER, J. LEVY

Журнал:

ChemInform

Рік:

1997

Файл:

PDF, 33 KB

1997

ChemInform Abstract: The Gramine Route to the Diels—Alder Adducts of Indolo-2,3-quinodimethanes.

Khalid Diker, Michele Doee de Maindreville, Daniel Royer, Fabien Le Provost, Jean Levy

Журнал:

ChemInform

Рік:

2000

Файл:

PDF, 29 KB

2000

Boundary formulation for three-dimensional anisotropic crack problems

A. Le Van, J. Royer

Журнал:

Applied Mathematical Modelling

Рік:

1996

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.14 MB

english, 1996

Determination of yohimbine and its two hydroxylated metabolites in humans by high-performance liquid chromatography and mass spectral analysis

Roger Le Verge, Pascal Le Corre, François Chevanne, Michèle Döe De Maindreville, Daniel Royer, Jean Levy

Журнал:

Journal of Chromatography B: Biomedical Sciences and Applications

Рік:

1992

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.03 MB

english, 1992

NOx removal efficiency and ammonia selectivity during the NOx storage-reduction process over Pt/BaO(Fe, Mn, Ce)/Al2O3 model catalysts. Part II: Influence of Ce and Mn–Ce addition

N. Le Phuc, X. Courtois, F. Can, S. Royer, P. Marecot, D. Duprez

Журнал:

Applied Catalysis B: Environmental

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 734 KB

english, 2011

NOx removal efficiency and ammonia selectivity during the NOx storage-reduction process over Pt/BaO(Fe, Mn, Ce)/Al2O3 model catalysts. Part I: Influence of Fe and Mn addition

N. Le Phuc, X. Courtois, F. Can, S. Royer, P. Marecot, D. Duprez

Журнал:

Applied Catalysis B: Environmental

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 472 KB

english, 2011

In-depth investigation of the mechanisms impacting C-V/G-V characteristics of Ge/GeON/HfO2/TiN stacks by electrical modeling

P. Batude, X. Garros, L. Clavelier, C. Le Royer, J.M. Hartmann, V. Loup, P. Besson, L. Vandroux, S. Deleonibus, F. Boulanger

Журнал:

Microelectronic Engineering

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 464 KB

english, 2007

Gate-induced drain leakage in FD-SOI devices: What the TFET teaches us about the MOSFET

J. Wan, C. Le Royer, A. Zaslavsky, S. Cristoloveanu

Журнал:

Microelectronic Engineering

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 720 KB

english, 2011

Activation level in boron-doped thin germanium-on-insulator (GeOI): Extraction method and impact of mobility

Louis Hutin, Stéphane Koffel, Cyrille Le Royer, Laurent Clavelier, Pascal Scheiblin, Vincent Mazzocchi, Simon Deleonibus

Журнал:

Materials Science in Semiconductor Processing

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 358 KB

english, 2008

From geology to economics: Technico-economic feasibility of a biofuel-CCS system

A. Fabbri, D. Bonijoly, O. Bouc, G. Bureau, C. Castagnac, F. Chapuis, X. Galiègue, A. Laude, Y. Le Gallo, S. Grataloup, O. Ricci, J. Royer-Adnot, C. Zammit

Журнал:

Energy Procedia

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 851 KB

english, 2011

Radioisotopic determination of l-carnitine content in foods commonly eaten in Western countries

Jean Demarquoy, Béatrice Georges, Caroline Rigault, Marie-Charlotte Royer, Amélie Clairet, Maud Soty, Serge Lekounoungou, Françoise Le Borgne

Журнал:

Food Chemistry

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 238 KB

english, 2004

A new memory concept: the nano-multiple-tunnel-junction memory with embedded Si nano-crystals

D Deleruyelle, C Le Royer, B DeSalvo, G Le Carval, M Gely, T Baron, J.L Autran, S Deleonibus

Журнал:

Microelectronic Engineering

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 494 KB

english, 2004

Improved GeOI substrates for pMOSFET off-state leakage control

K. Romanjek, E. Augendre, W. Van Den Daele, B. Grandchamp, L. Sanchez, C. Le Royer, J.-M. Hartmann, B. Ghyselen, E. Guiot, K. Bourdelle, S. Cristoloveanu, F. Boulanger, L. Clavelier

Журнал:

Microelectronic Engineering

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 697 KB

english, 2009